與此同時(shí)，截至2025年末AI與車用芯片需求強(qiáng)勁，推動(dòng)先進(jìn)工藝與封裝技術(shù)快速發(fā)展，而產(chǎn)能緊張也導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片短缺與消費(fèi)電子成本壓力上升。區(qū)域化供應(yīng)鏈與AI芯片生態(tài)多元化成為未來重要趨勢(shì)，盡管市場(chǎng)增長(zhǎng)顯著，但目前尚未出現(xiàn)明顯的泡沫跡象。
2026年晶圓代工市場(chǎng)增長(zhǎng)19%，但難滿足市場(chǎng)需求
據(jù)集邦咨詢(TrendForce)預(yù)測(cè)，2026年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將增長(zhǎng)19%，總營(yíng)收預(yù)計(jì)為2,032億美元，這主要由臺(tái)積電主導(dǎo)及AI驅(qū)動(dòng)。按區(qū)域來劃分，2026年全球十大晶圓代工企業(yè)總營(yíng)收中，有78%的營(yíng)收來自中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)，中國(guó)大陸地區(qū)的份額為8%，韓國(guó)的份額為7%；按具體公司來看，2026年僅臺(tái)積電一家就貢獻(xiàn)了全球72%的營(yíng)收，排名第二的三星貢獻(xiàn)了6.8%的營(yíng)收，中芯國(guó)際以4.8%的營(yíng)收占比排名第三。
從預(yù)測(cè)的各主要晶圓代工廠商2026年的營(yíng)收表現(xiàn)來看，臺(tái)積電的營(yíng)收將有望保持同比20%以上的增長(zhǎng)，此外華虹集團(tuán)、世界先進(jìn)、晶合集成則有望保持接近20%的同比增長(zhǎng)；三星電子、格羅方德、聯(lián)電、中芯國(guó)際、Tower的同比增幅都預(yù)計(jì)在5%上下。
郭祚榮補(bǔ)充表示，若無臺(tái)積電，2026年全球晶圓代工總營(yíng)收只能增長(zhǎng)7.7%。當(dāng)前，臺(tái)積電3/5/7納米(nm)制程工藝硅片單價(jià)介于1萬至2萬多美元區(qū)間。預(yù)計(jì)到2026年，臺(tái)積電先進(jìn)芯片代工服務(wù)價(jià)格將上漲10%——該公司規(guī)劃，未來3年內(nèi)將維持每年約5%的漲幅，其中3nm硅片單價(jià)或?qū)⑼黄?萬美元。
隨著臺(tái)積電1.6nm、1.4nm及1nm等更先進(jìn)制程芯片逐步量產(chǎn)，相關(guān)硅片的單價(jià)也將進(jìn)一步攀升，且營(yíng)收占比也將逐年提升。在此基礎(chǔ)上，2026年全球先進(jìn)工藝預(yù)計(jì)將有29%的增長(zhǎng)——該指數(shù)既包括了漲價(jià)因素在內(nèi)，也包括先進(jìn)封裝的增長(zhǎng)因素。
目前，AI芯片與車用芯片的需求最為強(qiáng)勁。實(shí)際上，2024年AI服務(wù)器的成長(zhǎng)率猛增至46%，集邦咨詢以這一基數(shù)為基礎(chǔ)曾預(yù)測(cè)“AI服務(wù)器此后將維持逐年穩(wěn)定成長(zhǎng)”，但該機(jī)構(gòu)在2025年下半年將之前預(yù)測(cè)的2026年增速上修至24%。
過去半年里，AI服務(wù)器領(lǐng)域究竟發(fā)生了什么？郭祚榮解釋說，這主要源于美系云服務(wù)商(CSP)加速AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，通過大規(guī)模資本投入(如亞馬遜1,250億美元、微軟800億美)構(gòu)建AI算力集群，導(dǎo)致芯片制造產(chǎn)能滿載和閃存、內(nèi)存供應(yīng)緊缺的連鎖反應(yīng)。
根據(jù)他的分析，本輪存儲(chǔ)缺貨事件也與晶圓代工關(guān)系存在聯(lián)系，“臺(tái)積電出貨AI芯片越多，內(nèi)存、閃存就會(huì)越缺貨。”在結(jié)構(gòu)性缺貨的背景下，預(yù)計(jì)2026年存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，消費(fèi)電子市場(chǎng)將面臨更大壓力。“終端產(chǎn)品的毛利較低，廠商難以自行消化成本，可能會(huì)通過漲價(jià)來轉(zhuǎn)嫁消費(fèi)者，預(yù)計(jì)2026年智能手機(jī)與筆記本市場(chǎng)年出貨量下跌2%。”
AI芯片需求旺盛，尤其HBM和DDR5等高性能計(jì)算芯片，并帶動(dòng)邊緣端AI芯片(如NPU)需求。晶圓廠為追求更高利潤(rùn)，優(yōu)先將先進(jìn)制程產(chǎn)能分配給AI芯片訂單，但成熟制程因價(jià)格策略調(diào)整有限，導(dǎo)致供給端難以滿足巨大需求，加劇部分品類的供需矛盾。
8/12英寸晶圓CAGR及產(chǎn)能利用率
除了聚焦供需關(guān)系之外，郭祚榮也分析了晶圓CAGR及產(chǎn)能利用率。2021至2030年期間，12英寸晶圓產(chǎn)能的年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)將為10.4%，其增長(zhǎng)動(dòng)力主要來自中國(guó)市場(chǎng)——根據(jù)全球各半導(dǎo)體設(shè)備商財(cái)報(bào)，中國(guó)市場(chǎng)的營(yíng)收貢獻(xiàn)普遍達(dá)30%至40%，期間該市場(chǎng)的CAGR約為21.4%，這一數(shù)據(jù)顯著高于全球平均水平(非中國(guó)市場(chǎng)CAGR僅為6.2%)。
2021至2030年，8英寸晶圓產(chǎn)能的增勢(shì)則相當(dāng)微弱，主要通過優(yōu)化與自動(dòng)化升級(jí)維持約1.2%的CAGR。相對(duì)于12英寸而言，8英寸晶圓的毛利更低，近些年包括晶圓代工廠、IDM廠，都在有意減少自己的8英寸產(chǎn)線，而把自己的重心聚焦在12英寸產(chǎn)線上，故而全球8英寸晶圓產(chǎn)能增速緩慢。未來8英寸也會(huì)像6英寸晶圓一樣，在成熟制程領(lǐng)域持續(xù)收縮，晶圓產(chǎn)能向高附加值環(huán)節(jié)集中。
再看2021至2030年期間，各區(qū)域的先進(jìn)制程和成熟制程的產(chǎn)能占比趨勢(shì)。
圖1：2021至2030年，全球各地先進(jìn)制程產(chǎn)能占比 制圖：國(guó)際電子商情 數(shù)據(jù)來源：TrendForce
圖2：2021至2030年，全球各地成熟制程產(chǎn)能占比 制圖：國(guó)際電子商情 數(shù)據(jù)來源：TrendForce
最近幾年，臺(tái)積電加強(qiáng)在海外進(jìn)行先進(jìn)制程產(chǎn)能布局，預(yù)計(jì)到2030年中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的先進(jìn)制程產(chǎn)能占比降至55%，而這一數(shù)字在2021年為66%。與此同時(shí)，美國(guó)的先進(jìn)制程產(chǎn)能占比顯著提升，從2021年的18%增至2030年的28%；中國(guó)大陸地區(qū)的先進(jìn)制程產(chǎn)能占比會(huì)從2021年的5%降至2030年的4%。
在成熟制程產(chǎn)能布局方面，將有兩個(gè)最明顯的變化——一方面是，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的占比將從2021年的54%減少至2030年的26%；另一方面是，中國(guó)大陸地區(qū)的占比將從2021年的22%增長(zhǎng)到2030年的52%。
其實(shí)，這主要是因中國(guó)大陸地區(qū)在先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)方面受限，在過去幾年對(duì)成熟制程進(jìn)行了擴(kuò)產(chǎn)，隨著擴(kuò)產(chǎn)的8英寸產(chǎn)能陸續(xù)達(dá)產(chǎn)，到2030年將有超過一半以上的成熟制程芯片產(chǎn)自該地區(qū)。與此同時(shí)，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的代工廠(以臺(tái)積電為首)的重心聚焦于先進(jìn)制程，逐漸減少對(duì)成熟制程芯片的投入，到2030年其占比明顯減少。
再關(guān)注全球晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率。預(yù)計(jì)2026年Q1，各晶圓代工廠的8英寸利用率將出現(xiàn)下滑，到Q2、Q3將會(huì)保持回升，部分企業(yè)在Q4將出現(xiàn)小幅下滑。2026年8英寸產(chǎn)能利用率整體上會(huì)與2025年持平。細(xì)化每家晶圓廠的8英寸產(chǎn)能利用率，整體可分為三個(gè)梯隊(duì)：
第一梯隊(duì)包括華虹、中芯國(guó)際及世界先進(jìn)，它們的產(chǎn)能利用率均超過90%。華虹與中芯國(guó)際主要承接國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求，在部分應(yīng)用場(chǎng)景或政策要求下，國(guó)外廠商若想深度進(jìn)入國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，可能需要通過國(guó)內(nèi)代工廠生產(chǎn)，也推高了這些企業(yè)的產(chǎn)能利用率。世界先進(jìn)因承接大量AI相關(guān)的PMIC訂單，其產(chǎn)能利用率維持在90%以上。
第二梯隊(duì)包括力積電(PSMC)、臺(tái)積電與格羅方德，產(chǎn)能利用率在70%至90%之間。由于臺(tái)積電的業(yè)務(wù)重心不在8英寸領(lǐng)域，其8英寸產(chǎn)能利用率在75%至80%之間；此前，格羅方德8英寸產(chǎn)能利用率在70%至75%，預(yù)計(jì)到2026年將增長(zhǎng)到75%至80%。
第三梯隊(duì)的產(chǎn)能利用率不足70%，以聯(lián)電和三星為代表。由于市場(chǎng)對(duì)成熟制程報(bào)價(jià)極為敏感，聯(lián)電選擇維持價(jià)格穩(wěn)定以保護(hù)毛利率，但成熟制程客戶因此轉(zhuǎn)為觀望，主動(dòng)放緩?fù)镀?jié)奏；三星則有意降低8英寸產(chǎn)能配置，將資源轉(zhuǎn)移至其他產(chǎn)線，且該公司部分舊設(shè)備尚未處置，導(dǎo)致產(chǎn)能利用率僅為67%左右。
2026年，各晶圓代工廠的12英寸產(chǎn)能利用率整體將有提升。預(yù)計(jì)到2026年Q4，晶合集成、力積電、中芯國(guó)際的12英寸晶圓產(chǎn)能利用率分別達(dá)到93%、91%、90%；格羅方德、臺(tái)積電、華虹集團(tuán)、聯(lián)電的12英寸晶圓產(chǎn)能利用率分別為87%、86%、84%、82%；三星電子的12英寸晶圓產(chǎn)能利用率則只有75%左右。
郭祚榮分析稱，晶和集成12英寸的產(chǎn)能利用率最高，主要受國(guó)內(nèi)內(nèi)循環(huán)需求推動(dòng)，其2026年整體出貨量持續(xù)增加。此外，力積電、臺(tái)積電的產(chǎn)能利用率也呈穩(wěn)步提升趨勢(shì)。三星受限于先進(jìn)工藝競(jìng)爭(zhēng)力不足，其12英寸產(chǎn)能利用率較低——截至2025年Q4，三星3nm良率僅約30%，臺(tái)積電3nm良率已超過80%；三星2nm良率低于10%，臺(tái)積電2nm良率保持在80%上下。
晶圓代工廠的資本支出及產(chǎn)能投片量
晶圓代工廠的資本支出也值得關(guān)注。據(jù)集邦咨詢預(yù)計(jì)，2026年全球前十大晶圓代工廠總資本支出同比增長(zhǎng)13.3%，主要用于先進(jìn)制程的產(chǎn)能擴(kuò)充。
圖3：全球十大晶圓廠2025、2025年資本支出 制表：國(guó)際電子商情 數(shù)據(jù)來源：TrendForce
其中，臺(tái)積電的資本支出規(guī)模顯著高于同業(yè)，其2026年資本支出將達(dá)477.08億美元，同比增長(zhǎng)18%。相比之下，三星、中芯國(guó)際、聯(lián)電等廠商2026年的資本支出雖有小幅增長(zhǎng)，但規(guī)模遠(yuǎn)不及臺(tái)積電。整體來看，臺(tái)積電2026年資本支出的金額高于另9家資本支出的總和，也這反映出該公司對(duì)市場(chǎng)前景的強(qiáng)烈信心(詳見圖3)。
具體來看，臺(tái)積電的高額投資主要用于先進(jìn)制程研發(fā)、先進(jìn)封裝產(chǎn)能擴(kuò)張，以及全球制造基地建設(shè)。例如，臺(tái)積電在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)正推進(jìn)多項(xiàng)關(guān)鍵項(xiàng)目：新竹寶山廠已完成2nm工藝布局，并規(guī)劃導(dǎo)入1.4nm工藝；臺(tái)中廠也將建設(shè)1.4nm產(chǎn)線；在嘉義等地建設(shè)的先進(jìn)封裝廠(如A07、A08)亦需大量資金。
此外，臺(tái)積電海外布局也在同步展開：美國(guó)亞利桑那州的首座工廠已完工，第二座工廠將導(dǎo)入2nm工藝(該廠技術(shù)節(jié)點(diǎn)僅比中國(guó)臺(tái)灣廠晚一代)；日本熊本第一座工廠已投產(chǎn)，第二座工廠正在規(guī)劃中；德國(guó)工廠(英文簡(jiǎn)稱ESMC，中文名為歐洲半導(dǎo)體制造公司，臺(tái)積電占股70%)也在按計(jì)劃推進(jìn)中。
下面關(guān)注全球十大12英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能投片。預(yù)計(jì)2026年成熟制程與先進(jìn)制程的總投片量將增至332.6萬片，較2025年的300萬片同比增長(zhǎng)11%。其中，新增投片量中約有75%是成熟制程，25%是先進(jìn)制程。
在先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)中，2nm工藝的月產(chǎn)能預(yù)計(jì)約為5.5萬片，主要由臺(tái)積電貢獻(xiàn)；3nm產(chǎn)能被英偉達(dá)、AMD及主要云端廠商的自研芯片集中占據(jù)，目前月產(chǎn)能僅約3000片。
在成熟制程節(jié)點(diǎn)方面，28nm/22nm節(jié)點(diǎn)的月投片5.4萬片，45nm/40nm節(jié)點(diǎn)的月投片5.3萬片，65nm/55nm及90nm/80nm節(jié)點(diǎn)的月投片6.2萬片。2026年新增成熟制程產(chǎn)能中，約有77%來自中國(guó)大陸地區(qū)。隨著中國(guó)大陸地區(qū)新建產(chǎn)能陸續(xù)釋放，到2026年該地區(qū)28nm產(chǎn)能占比將待36%，40nm產(chǎn)能占比33%，55nm產(chǎn)能占比28%，90nm產(chǎn)能占比3%。
到2026年臺(tái)積電、三星、英特爾將分別推進(jìn)到N2P/A16、SF2P、14A，但中國(guó)大陸地區(qū)由于半導(dǎo)體設(shè)備出口限制，在先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張方面受到明顯的限制。不過，中國(guó)借助現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)和多重曝光技術(shù)，有望演進(jìn)到等效臺(tái)積電7nm的先進(jìn)制程，并還能在等效7nm的基礎(chǔ)上進(jìn)行優(yōu)化。這也是中國(guó)大陸地區(qū)選擇通過成熟制程積累，并逐步向先進(jìn)制程延伸的產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑的主要原因。
AI需求暫未出現(xiàn)明顯的市場(chǎng)泡沫
在先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝領(lǐng)域，臺(tái)積電計(jì)劃于2026年量產(chǎn)S6工藝節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)實(shí)際為基礎(chǔ)2nm技術(shù)的增強(qiáng)版。至2028年，臺(tái)積電將推進(jìn)至A14、A12、A10等新一代工藝。在A12之后，臺(tái)積電將采用比EUV設(shè)備更加先進(jìn)的GAA設(shè)備。
3nm制程是當(dāng)前AI芯片的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。為緩解該節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能緊張，臺(tái)積電通過提供優(yōu)惠條件，促使蘋果將部分需求轉(zhuǎn)向2nm工藝，從而為AMD MI350、英偉達(dá)Rubin等AI芯片釋放出更多3nm產(chǎn)能。目前，美國(guó)主流AI芯片幾乎均采用此制程。
集邦咨詢指出，2025年全球先進(jìn)封裝產(chǎn)能同比猛增82%，預(yù)計(jì)2026年將繼續(xù)增長(zhǎng)27%。其中，臺(tái)積電主導(dǎo)的CoWoS占據(jù)了大部分先進(jìn)封裝產(chǎn)能。CoWoS對(duì)整合AI芯片與HBM至關(guān)重要，現(xiàn)在臺(tái)積電CoWoS業(yè)務(wù)的利潤(rùn)率已超過先進(jìn)制程，主要因?yàn)槠渖a(chǎn)設(shè)備成本較低，先進(jìn)封裝單片晶圓價(jià)格已從三年前的約5,000美元/片漲至1萬美元/片，未來可能提升至1.7萬美元/片——臺(tái)積電CoPoS技術(shù)已明確規(guī)劃于2026年設(shè)立實(shí)驗(yàn)線，目標(biāo)2028年底至2029年量產(chǎn)，CoWoP作為其衍生技術(shù)，或?qū)?huì)同步推進(jìn)。
在郭祚榮看來，未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵趨勢(shì)主要體現(xiàn)在以下兩個(gè)方面：
首先，供應(yīng)鏈呈現(xiàn)顯著的區(qū)域化特征。如今，中國(guó)市場(chǎng)積極推動(dòng)內(nèi)循環(huán)，國(guó)際IDM廠商(如英飛凌、恩智浦、德州儀器、安森美)在中國(guó)境內(nèi)生產(chǎn)時(shí)，傾向于選擇臺(tái)積電南京廠或中芯國(guó)際等本地代工廠；而為供應(yīng)中國(guó)以外的市場(chǎng)，它們則主要委托臺(tái)積電或聯(lián)電進(jìn)行制造。這種基于地域市場(chǎng)選擇不同代工伙伴的策略，本質(zhì)上是各國(guó)強(qiáng)化本土產(chǎn)業(yè)鏈安全的普遍做法。
其次，AI芯片生態(tài)正從集中走向多元化。盡管英偉達(dá)憑借其高毛利占據(jù)主導(dǎo)，但高昂成本也促使谷歌、微軟、AWS等云服務(wù)巨頭開始自研ASIC芯片。這些公司通常委托博通、聯(lián)發(fā)科等設(shè)計(jì)IP，再交由臺(tái)積電、三星或英特爾來代工，從而形成了一個(gè)新興的軟硬件協(xié)同生態(tài)。然而，無論是英偉達(dá)GPU還是各類ASIC，均需搭載HBM或DDR5等高端內(nèi)存，這導(dǎo)致存儲(chǔ)產(chǎn)能持續(xù)緊張，加劇了整體芯片的供應(yīng)短缺。
綜合來看，在當(dāng)前的AI浪潮下，臺(tái)積電正持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能并動(dòng)態(tài)調(diào)整生產(chǎn)計(jì)劃。從臺(tái)積電自身及其下游服務(wù)器代工廠(如偉創(chuàng)、鴻海、廣達(dá))的反饋來看，AI服務(wù)器需求在2026年前仍將保持增長(zhǎng)，尚未出現(xiàn)明顯的市場(chǎng)泡沫跡象。
