據(jù)多方行業(yè)信源確認(rèn)，韓國兩大存儲巨頭——三星電子與SK海力士已正式向主要客戶提出，將在2026年第一季度對服務(wù)器用DRAM產(chǎn)品實施大幅提價，漲幅普遍落在60%至70%區(qū)間。這一調(diào)整不僅創(chuàng)下近年來存儲芯片價格單季漲幅的新高，也標(biāo)志著AI驅(qū)動下的算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)正深刻重塑整個供應(yīng)鏈格局。
此次漲價并非孤立事件，而是多重因素疊加的結(jié)果。一方面，生成式AI的爆發(fā)性增長持續(xù)推高對高性能計算硬件的需求。以英偉達(dá)H200、AMD MI300X為代表的AI加速平臺對內(nèi)存帶寬和容量提出更高要求，不僅帶動了HBM（高帶寬內(nèi)存）訂單激增，也間接拉動了傳統(tǒng)服務(wù)器DDR4/DDR5 DRAM的消耗。
數(shù)據(jù)顯示，單臺AI服務(wù)器對DRAM的需求量達(dá)到了普通服務(wù)器的8倍，而北美四大云廠2026年AI基礎(chǔ)設(shè)施總投資預(yù)計將突破6000億美元，進(jìn)一步放大了通用服務(wù)器DRAM的需求缺口。三星、SK海力士等頭部企業(yè)為此紛紛將晶圓產(chǎn)能向利潤率更高的HBM3E等高帶寬內(nèi)存傾斜，這類用于英偉達(dá)等AI加速器的高端產(chǎn)品，消耗的晶圓資源是傳統(tǒng)DRAM的3倍，直接擠壓了通用服務(wù)器DRAM的產(chǎn)能空間，而新產(chǎn)能落地周期長達(dá)1.5-2年，短期難以填補(bǔ)缺口。
另一方面，美國在2025年底放寬部分高端AI芯片對華出口限制后，中國云服務(wù)商和大型科技企業(yè)迅速啟動大規(guī)模采購，進(jìn)一步加劇了全球DRAM產(chǎn)能的緊張局面。
面對供不應(yīng)求的市場環(huán)境，三星與SK海力士采取了極為強(qiáng)勢的供應(yīng)策略。兩家公司已明確拒絕拒絕簽訂2-3年的長期供貨協(xié)議，堅持按季度議價簽約，以此鎖定逐季漲價的節(jié)奏。有消息指出，包括谷歌、微軟、亞馬遜在內(nèi)的國際云廠商雖對成本上升表示擔(dān)憂，但鑒于AI基礎(chǔ)設(shè)施部署的緊迫性，多數(shù)已接受本輪漲價方案。更有傳聞稱，部分未能提前鎖定產(chǎn)能的客戶因交付風(fēng)險面臨內(nèi)部問責(zé)，凸顯當(dāng)前存儲資源的戰(zhàn)略價值。
市場的熱烈反應(yīng)也印證了行業(yè)對漲價邏輯的認(rèn)可，1月5日消息披露當(dāng)日，三星電子股價大漲近7.5%創(chuàng)下歷史新高，SK海力士股價同步上漲近3%，直接帶動韓國首爾綜指收漲3.43%，創(chuàng)下收盤歷史新高，全球半導(dǎo)體板塊也隨之聯(lián)動走強(qiáng)。
值得注意的是，產(chǎn)能分配的傾斜也加劇了結(jié)構(gòu)性短缺。為滿足HBM3E等先進(jìn)產(chǎn)品的制造需求，兩大韓廠將大量1α納米及更先進(jìn)制程產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高毛利產(chǎn)品線，導(dǎo)致通用服務(wù)器DRAM的產(chǎn)出受限。這種“擠出效應(yīng)”使得原本就處于復(fù)蘇通道的服務(wù)器內(nèi)存市場雪上加霜。
市場研究機(jī)構(gòu)預(yù)測，2026年全年服務(wù)器DRAM平均價格同比漲幅可能超過140%，其中Q1將成為關(guān)鍵拐點。供需方面，預(yù)計2026年全球DRAM位元供應(yīng)量增幅僅為15%-20%，而需求增速將達(dá)到20%-25%，供需缺口持續(xù)擴(kuò)大的態(tài)勢難以逆轉(zhuǎn)。
受此影響，下游終端廠商壓力陡增。PC、智能手機(jī)等消費電子產(chǎn)品的存儲成本占比顯著上升，部分品牌已開始醞釀提價或調(diào)整產(chǎn)品配置策略。與此同時，三星與SK海力士2026年營業(yè)利潤將有望分別達(dá)到155萬億韓元和148萬億韓元，較2025年實現(xiàn)2.5倍以上的激增，毛利率有望突破60%，七年來首次超越臺積電。
這場由AI點燃的存儲漲價潮，不僅反映了技術(shù)演進(jìn)對硬件基礎(chǔ)的深層依賴，也揭示了全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈在高確定性需求面前的脆弱性與博弈張力。未來幾個季度，DRAM市場的價格走勢、產(chǎn)能調(diào)配以及客戶應(yīng)對策略，將持續(xù)成為觀察全球科技產(chǎn)業(yè)競爭態(tài)勢的重要窗口。
