國(guó)際電子商情28日訊 當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月26日，美光科技宣布，位于新加坡現(xiàn)有NAND閃存制造園區(qū)內(nèi)的先進(jìn)晶圓制造廠正式破土動(dòng)工。該工廠計(jì)劃在未來十年內(nèi)總投資約240億美元，預(yù)計(jì)于2028年下半年投產(chǎn)，將成為新加坡首座雙層晶圓制造工廠，提供約70萬平方英尺的無塵室空間。美光表示，此次投資將創(chuàng)造約1600個(gè)就業(yè)崗位，旨在滿足人工智能驅(qū)動(dòng)下對(duì)NAND閃存不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。
資料顯示，美光在新加坡已有大規(guī)模制造布局，其98%的閃存芯片在當(dāng)?shù)厣a(chǎn)。此外，美光還正在新加坡建設(shè)一座價(jià)值70億美元的先進(jìn)封裝工廠，專門生產(chǎn)人工智能芯片所需的高帶寬內(nèi)存（HBM），預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)。
與此同時(shí)，其他存儲(chǔ)芯片巨頭也積極擴(kuò)產(chǎn)。SK海力士計(jì)劃將一座新工廠的投產(chǎn)時(shí)間提前三個(gè)月，并于2月開始運(yùn)營(yíng)另一座新工廠。有外媒報(bào)道稱，SK海力士已被選為微軟人工智能芯片Maia 200所采用的HBM3E內(nèi)存的獨(dú)家供應(yīng)商。該芯片搭載的HBM3E內(nèi)存總?cè)萘繛?16GB，配備了六個(gè)12層HBM3E內(nèi)存模塊。
另外，韓國(guó)《電子時(shí)報(bào)》1月25日?qǐng)?bào)道稱，三星電子則在今年第一季度將NAND閃存的供應(yīng)價(jià)格上調(diào)了100%以上，漲幅高于市場(chǎng)預(yù)期，凸顯了當(dāng)前存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)嚴(yán)重的供需失衡現(xiàn)狀。
當(dāng)前，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)由美光科技以及韓國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士、三星電子主導(dǎo)。這三家公司近來優(yōu)先生產(chǎn)AI算力基建所需的高端存儲(chǔ)芯片，導(dǎo)致用于個(gè)人電腦和手機(jī)的傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片也面臨供應(yīng)短缺。
我們正處于“超級(jí)周期”
全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正經(jīng)歷供需嚴(yán)重失衡。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2026年全球服務(wù)器出貨量年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為12.8%，其中AI服務(wù)器出貨量年增長(zhǎng)率達(dá)28%以上。DRAM和NAND Flash的合約價(jià)格持續(xù)上漲，預(yù)計(jì)2026年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值同比增長(zhǎng)134%至5516億美元，2027年將繼續(xù)增長(zhǎng)53%至8427億美元。
對(duì)此火爆行情，EDA巨頭新思科技首席執(zhí)行官Sassine Ghazi表示，芯片短缺現(xiàn)象預(yù)計(jì)將在2026年和2027年持續(xù)，主要原因是AI基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)內(nèi)存芯片的需求達(dá)到前所未有的水平，而擴(kuò)產(chǎn)需要至少兩年時(shí)間。
事實(shí)上，美光科技在去年底發(fā)布2026財(cái)年第一季度業(yè)績(jī)報(bào)告時(shí)就曾做出過這樣的預(yù)測(cè)。
美光科技預(yù)測(cè)，存儲(chǔ)市場(chǎng)供應(yīng)緊張的情況將持續(xù)到2026年以后，HBM總潛在市場(chǎng)預(yù)計(jì)以約40%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，從2025年的約350億美元增長(zhǎng)到2028年的約1000億美元。
在華爾街，高盛和野村等投資機(jī)構(gòu)判斷，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)正在經(jīng)歷“三重超級(jí)周期”，DRAM、NAND和HBM的需求同時(shí)激增，這一趨勢(shì)預(yù)計(jì)將持續(xù)到2027年。
