產(chǎn)品概述
EPC2102ENGRT是一款高性能的GaNFET（氮化鎵場效應(yīng)晶體管），由業(yè)界領(lǐng)先的 EPC 公司制造。作為一款 2 N-Channel 60V 23A 的裸片（DIE）封裝的功率器件，它屬于 FET、MOSFET 陣列 分類。EPC2102ENGRT憑借其先進(jìn)的氮化鎵技術(shù)，為工程師和采購人員提供了一種高效率、小尺寸的解決方案，以滿足日益增長的功率管理需求。其獨(dú)特的性能使其成為替代傳統(tǒng)硅基MOSFET的理想選擇，特別是在對(duì)性能和尺寸有嚴(yán)苛要求的應(yīng)用中。立即訪問 EPC2102ENGRT產(chǎn)品頁面，深入了解這款創(chuàng)新的電子元器件。
核心規(guī)格參數(shù)
EPC2102ENGRT 展現(xiàn)出卓越的電氣性能，以下是其關(guān)鍵規(guī)格參數(shù)的詳細(xì)列表：
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
| 產(chǎn)品狀態(tài) (Digi-Key) | 已停產(chǎn) (Discontinued) |
| 技術(shù) | GaNFET (氮化鎵) |
| 配置 | 2 N-Channel (半橋) |
| 漏源電壓 (Vdss) | 60V |
| 連續(xù)漏極電流 (Id) @ 25°C | 23A (Tj) |
| 導(dǎo)通電阻 (Rds On) (最大值) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 5V |
| 閾值電壓 (Vgs(th)) (最大值) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| 柵極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 830pF @ 30V |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 (Surface Mount) |
| 封裝/外殼 | 裸片 (Die) |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 裸片 (Die) |
產(chǎn)品特性與優(yōu)勢
EPC2102ENGRT 憑借其 GaNFET 技術(shù)，帶來了多項(xiàng)顯著的優(yōu)勢：
- 卓越的導(dǎo)通性能： 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds On) 僅為 4.4mOhm @ 20A, 5V，顯著降低了功率損耗，提高了系統(tǒng)效率。
- 高開關(guān)速度： 氮化鎵材料固有的優(yōu)勢使其能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)硅 MOSFET 更快的開關(guān)速度，從而減小了開關(guān)損耗，并允許更高的工作頻率。
- 低柵極電荷 (Qg) 和輸入電容 (Ciss)： 較低的 Qg 和 Ciss 有助于降低驅(qū)動(dòng)損耗，并簡化柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。
- 寬溫度范圍： -40°C 至 150°C 的寬工作溫度范圍，保證了在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
- 高功率密度： 裸片 (Die) 封裝形式允許工程師在設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，減小了整體解決方案的尺寸。
- 半橋配置： 2 N-Channel 的半橋配置，為實(shí)現(xiàn)各種高效的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)提供了便利。
EPC 作為增強(qiáng)型氮化鎵功率管理器件的領(lǐng)導(dǎo)者，一直致力于推動(dòng) eGaN? FET 技術(shù)的發(fā)展，使其成為 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線功率傳輸、包絡(luò)跟蹤和 RF 傳輸?shù)葢?yīng)用的理想選擇。EPC2102ENGRT 正是這一技術(shù)創(chuàng)新的體現(xiàn)。
應(yīng)用領(lǐng)域
EPC2102ENGRT 的高性能和緊湊尺寸使其適用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于：
- 高效率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
- 無線功率傳輸系統(tǒng)
- 服務(wù)器電源
- 電信基礎(chǔ)設(shè)施
- 電動(dòng)汽車充電
- 消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源管理
- LED 照明驅(qū)動(dòng)
- 工業(yè)電源
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