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TH58BVG2S3HBAI4 規(guī)格書與數(shù)據(jù)手冊 | Kioxia America, Inc. 記憶

TH58BVG2S3HBAI4 - 鎧俠美國公司 TH58BVG2S3HBAI4 立即詢價

產(chǎn)品概述

TH58BVG2S3HBAI4 是一款高性能的記憶Flash芯片,由全球領(lǐng)先的存儲解決方案供應(yīng)商Kioxia America, Inc.精心打造。作為一款電子元器件,它隸屬于記憶ICFlashNAND (SLC)類別,為各類電子設(shè)備提供可靠的數(shù)據(jù)存儲能力。如果您正在尋找一款容量為4Gbit,封裝為63TFBGA的高品質(zhì)Flash芯片,那么TH58BVG2S3HBAI4將是您的理想選擇。欲了解更多關(guān)于這款產(chǎn)品的信息,請訪問我們的TH58BVG2S3HBAI4產(chǎn)品頁面。我們很榮幸能成為Kioxia America, Inc.的授權(quán)分銷商,為您提供原裝正品的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。

核心規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品狀態(tài)Active
存儲類型Non-Volatile
內(nèi)存格式FLASH
技術(shù)FLASH - NAND (SLC)
內(nèi)存容量4Gbit
內(nèi)存組織512M x 8
寫入周期時間 - 字、頁25ns
供電電壓2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
封裝/外殼63-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝63-TFBGA (9x11)

產(chǎn)品特性與優(yōu)勢

TH58BVG2S3HBAI4Flash記憶芯片憑借其先進的SLCNAND技術(shù),提供了卓越的性能和可靠性。4Gbit的存儲容量能夠滿足廣泛的應(yīng)用需求,而512M x 8的內(nèi)存組織方式則為數(shù)據(jù)管理提供了靈活性。25ns的寫入周期時間確保了快速的數(shù)據(jù)寫入速度,有效提升了系統(tǒng)效率。

寬廣的工作電壓范圍(2.7V ~ 3.6V)使其能夠兼容多種電源系統(tǒng)。在嚴(yán)苛的環(huán)境下,TH58BVG2S3HBAI4依然能穩(wěn)定運行,其工作溫度范圍為-40°C ~ 85°C (TA),這使得它非常適合在各種工業(yè)和戶外應(yīng)用中部署。表面貼裝(Surface Mount)的63-VFBGA封裝,易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)計中,并有助于實現(xiàn)緊湊的PCB布局。

Kioxia America, Inc.作為Flash記憶的發(fā)明者和領(lǐng)導(dǎo)者,其在BiCS FLASH? 3D技術(shù)等方面的持續(xù)創(chuàng)新,確保了TH58BVG2S3HBAI4擁有頂尖的品質(zhì)和性能。了解更多關(guān)于Kioxia品牌的信息,請訪問我們的Kioxia America, Inc.品牌頁面。

應(yīng)用領(lǐng)域

TH58BVG2S3HBAI4Flash記憶芯片因其高性能和高可靠性,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:

  • 消費電子產(chǎn)品(如智能手機、平板電腦)
  • 工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)
  • 汽車電子(如車載信息娛樂系統(tǒng)、ADAS)
  • 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備
  • 嵌入式系統(tǒng)
  • 物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備

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作為一家專業(yè)的電子元器件分銷商,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司致力于為廣大工程師和采購人員提供最優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和最專業(yè)的服務(wù)。選擇我們購買TH58BVG2S3HBAI4,您將獲得:

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