APT10SCD120K 美高森美單二極管
美高森美 APT10SCD120K 單二極管
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | - |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Operating Temperature - Junction | - |
APT10SCD120K 美高森美單二極管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
APT10SCD120K 是由 美高森美 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V、Current - Average Rectified (Io): 10A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
APT10SCD120K 共有 10 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Reverse Recovery Time (trr)(0 ns)、Mounting Type(Through Hole)、Package / Case(TO-220-2)、Supplier Device Package(TO-220-2) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
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