STTH806D 意法半導體單二極管
意法半導體 STTH806D 單二極管
STTH806D是意法半導體旗下的單二極管 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供STTH806D現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供STTH806D datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數
| Product Status | Last Time Buy |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.85 V @ 8 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 8 μA @ 600 V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
STTH806D 意法半導體單二極管 - 規(guī)格參數與選型指南
STTH806D 是由 意法半導體 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC。該器件的核心參數包括：Product Status: Last Time Buy、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V、Current - Average Rectified (Io): 8A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 8 A、Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)。
STTH806D 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Reverse Recovery Time (trr)（55 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（8 μA @ 600 V）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-220-2）、Supplier Device Package（TO-220AC） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 意法半導體：意法半導體是一家全球獨立的半導體公司，是開發(fā)和提供微電子應用領域半導體解決方案的領導者。公司結合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產權（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關系，使其在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術的前沿占據領先地位，其產品在推動當今的融合趨勢中發(fā)揮著關鍵作用。
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