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2N918 PBFREE 中央半導(dǎo)體雙極射頻晶體管
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2N918 PBFREE 中央半導(dǎo)體雙極射頻晶體管

品牌:中央半導(dǎo)體 分類:雙極射頻晶體管 描述:RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO72
¥45.94

中央半導(dǎo)體 2N918 PBFREE 雙極射頻晶體管

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)15V
Frequency - Transition600MHz
Noise Figure (dB Typ @ f)6dB @ 60kHz
Gain-
Power - Max200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 3mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max)50mA
Operating Temperature-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Supplier Device PackageTO-72

2N918 PBFREE 中央半導(dǎo)體雙極射頻晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

2N918 PBFREE 是由 中央半導(dǎo)體 制造的 雙極射頻晶體管 類電子元器件。RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO72。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V、Frequency - Transition: 600MHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60kHz、Power - Max: 200mW。

2N918 PBFREE 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(20 @ 3mA, 1V)、Current - Collector (Ic) (Max)(50mA)、Operating Temperature(-65°C ~ 200°C (TJ))、Mounting Type(Through Hole)、Package / Case(TO-206AF, TO-72-4 Metal Can) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 中央半導(dǎo)體:Central Semiconductor,中文名「中央半導(dǎo)體」,自1974年起,便致力于為全球電子產(chǎn)品制造創(chuàng)新型分立式半導(dǎo)體元器件。作為業(yè)界資深的電子元件制造商,中央半導(dǎo)體在數(shù)十年的發(fā)展歷程中,憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和對品質(zhì)的不懈追求,贏得了廣泛的市場認(rèn)可。其核心產(chǎn)品線涵蓋了種類繁多的電子元件,包括但不限于標(biāo)準(zhǔn)及定制化的小信號晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護(hù)器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管,以及前沿的碳化硅(SiC)器件。這些高質(zhì)量的IC芯片和分立半導(dǎo)體元件,是現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的組成部分。

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2N918 PBFREE常見問題

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