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JAN2N5793 微芯科技雙極晶體管陣列
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JAN2N5793 微芯科技雙極晶體管陣列

品牌:微芯科技 分類:雙極晶體管陣列 描述:NPN TRANSISTOR

微芯科技 JAN2N5793 雙極晶體管陣列

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
Transistor Type2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic900mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max)10μA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 150mA, 10V
Power - Max600mW
Frequency - Transition-
Operating Temperature-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-78-6 Metal Can
Supplier Device PackageTO-78-6

JAN2N5793 微芯科技雙極晶體管陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

JAN2N5793 是由 微芯科技 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。NPN TRANSISTOR。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 600mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA、Current - Collector Cutoff (Max): 10μA (ICBO)。

JAN2N5793 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(40 @ 150mA, 10V)、Power - Max(600mW)、Operating Temperature(-65°C ~ 200°C (TJ))、Mounting Type(Through Hole)、Package / Case(TO-78-6 Metal Can) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。

關(guān)于 微芯科技:微芯科技(Microchip Technology Inc.)是一家全球領(lǐng)先的**電子元器件**和**IC芯片**供應(yīng)商,以其創(chuàng)新的**微控制器**和**模擬半導(dǎo)體**解決方案,賦能全球數(shù)以萬計(jì)的客戶實(shí)現(xiàn)低風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)品開發(fā)、降低整體系統(tǒng)成本并加速產(chǎn)品上市進(jìn)程。公司總部位于美國亞利桑那州錢德勒,自成立以來,微芯科技始終致力于提供卓越的技術(shù)支持、可靠的交付和高品質(zhì)的產(chǎn)品,贏得了業(yè)界的廣泛贊譽(yù)。

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JAN2N5793常見問題

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