JAN2N3838 微芯科技雙極晶體管陣列
微芯科技 JAN2N3838 雙極晶體管陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10μA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-FlatPack |
| Supplier Device Package | 6-FlatPack |
JAN2N3838 微芯科技雙極晶體管陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
JAN2N3838 是由 微芯科技 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。NPN TRANSISTOR。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN, PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 600mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA、Current - Collector Cutoff (Max): 10μA (ICBO)。
JAN2N3838 共有 12 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（100 @ 150mA, 10V）、Power - Max（350mW）、Operating Temperature（-65°C ~ 200°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（6-FlatPack） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球領(lǐng)先的**電子元器件**和**IC芯片**供應(yīng)商，以其創(chuàng)新的**微控制器**和**模擬半導(dǎo)體**解決方案，賦能全球數(shù)以萬計的客戶實現(xiàn)低風(fēng)險的產(chǎn)品開發(fā)、降低整體系統(tǒng)成本并加速產(chǎn)品上市進(jìn)程。公司總部位于美國亞利桑那州錢德勒，自成立以來，微芯科技始終致力于提供卓越的技術(shù)支持、可靠的交付和高品質(zhì)的產(chǎn)品，贏得了業(yè)界的廣泛贊譽(yù)。
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