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ULN2065B 意法半導(dǎo)體雙極晶體管陣列
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ULN2065B 意法半導(dǎo)體雙極晶體管陣列

品牌:意法半導(dǎo)體 分類:雙極晶體管陣列 描述:TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
¥49.39

意法半導(dǎo)體 ULN2065B 雙極晶體管陣列

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
Transistor Type4 NPN Darlington (Quad)
Current - Collector (Ic) (Max)1.75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 2.25mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Power - Max1W
Frequency - Transition-
Operating Temperature-20°C ~ 85°C (TA)
Mounting TypeThrough Hole
Package / Case16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package16-PowerDIP (20x7.10)

ULN2065B 意法半導(dǎo)體雙極晶體管陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

ULN2065B 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Transistor Type: 4 NPN Darlington (Quad)、Current - Collector (Ic) (Max): 1.75A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A、Power - Max: 1W。

ULN2065B 共有 10 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Operating Temperature(-20°C ~ 85°C (TA))、Mounting Type(Through Hole)、Package / Case(16-PowerDIP (0.300", 7.62mm))、Supplier Device Package(16-PowerDIP (20x7.10)) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū),獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 意法半導(dǎo)體:意法半導(dǎo)體是一家全球獨(dú)立的半導(dǎo)體公司,是開(kāi)發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識(shí)、制造實(shí)力、知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,使其在系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位,其產(chǎn)品在推動(dòng)當(dāng)今的融合趨勢(shì)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

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ULN2065B常見(jiàn)問(wèn)題

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