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PEMD20,115 恩智浦半導(dǎo)體雙極晶體管陣列,預(yù)偏置
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PEMD20,115 恩智浦半導(dǎo)體雙極晶體管陣列,預(yù)偏置

品牌:恩智浦半導(dǎo)體 分類:雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 描述:NOW NEXPERIA PEMD20 - SMALL SIGN

恩智浦半導(dǎo)體 PEMD20,115 雙極晶體管陣列,預(yù)偏置

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1)2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)1μA
Frequency - Transition-
Power - Max300mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageSOT-666

PEMD20,115 恩智浦半導(dǎo)體雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

PEMD20,115 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 類電子元器件。NOW NEXPERIA PEMD20 - SMALL SIGN。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 2.2kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms。

PEMD20,115 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(30 @ 20mA, 5V)、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic(150mV @ 500μA, 10mA)、Current - Collector Cutoff (Max)(1μA)、Power - Max(300mW)、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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PEMD20,115常見問題

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