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PQMH9Z 恩智浦半導(dǎo)體雙極晶體管陣列,預(yù)偏置
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PQMH9Z 恩智浦半導(dǎo)體雙極晶體管陣列,預(yù)偏置

品牌:恩智浦半導(dǎo)體 分類:雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 描述:Digital BJT 2 NPN - Pre-Biased (
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恩智浦半導(dǎo)體 PQMH9Z 雙極晶體管陣列,預(yù)偏置

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1)10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)1μA
Frequency - Transition230MHz
Power - Max230mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device PackageDFN1010B-6

PQMH9Z 恩智浦半導(dǎo)體雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

PQMH9Z 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 類電子元器件。Digital BJT 2 NPN - Pre-Biased (。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 10kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms。

PQMH9Z 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(100 @ 5mA, 5V)、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic(100mV @ 250μA, 5mA)、Current - Collector Cutoff (Max)(1μA)、Frequency - Transition(230MHz)、Power - Max(230mW) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。

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PQMH9Z常見問題

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