PBLS2001S,115 恩智浦半導(dǎo)體雙極晶體管陣列，預(yù)偏置

PBLS2001S,115 恩智浦半導(dǎo)體雙極晶體管陣列，預(yù)偏置 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

PBLS2001S,115 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 雙極晶體管陣列，預(yù)偏置 類(lèi)電子元器件。TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 3A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 20V、Resistor - Base (R1): 2.2kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms。

PBLS2001S,115 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500μA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A）、Current - Collector Cutoff (Max)（1μA, 100nA）、Frequency - Transition（100MHz）、Power - Max（1.5W） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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