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BCR10PNH6327XTSA1 英飛凌科技雙極晶體管陣列,預(yù)偏置
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BCR10PNH6327XTSA1 英飛凌科技雙極晶體管陣列,預(yù)偏置

品牌:英飛凌科技 分類:雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
¥3.31

英飛凌科技 BCR10PNH6327XTSA1 雙極晶體管陣列,預(yù)偏置

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusLast Time Buy
Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1)10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)-
Frequency - Transition130MHz
Power - Max250mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackagePG-SOT363-PO

BCR10PNH6327XTSA1 英飛凌科技雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

BCR10PNH6327XTSA1 是由 英飛凌科技 制造的 雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 類電子元器件。TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Last Time Buy、Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 10kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms。

BCR10PNH6327XTSA1 共有 13 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(30 @ 5mA, 5V)、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic(300mV @ 500μA, 10mA)、Frequency - Transition(130MHz)、Power - Max(250mW)、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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