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UMH3NTN 羅姆半導體雙極晶體管陣列,預偏置
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UMH3NTN 羅姆半導體雙極晶體管陣列,預偏置

品牌:羅姆半導體 分類:雙極晶體管陣列,預偏置 描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
¥3.38

羅姆半導體 UMH3NTN 雙極晶體管陣列,預偏置

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1)4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)-
Frequency - Transition250MHz
Power - Max150mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackageUMT6

UMH3NTN 羅姆半導體雙極晶體管陣列,預偏置 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

UMH3NTN 是由 羅姆半導體 制造的 雙極晶體管陣列,預偏置 類電子元器件。TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 4.7kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V。

UMH3NTN 共有 12 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic(300mV @ 250μA, 5mA)、Frequency - Transition(250MHz)、Power - Max(150mW)、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(6-TSSOP, SC-88, SOT-363) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

關于 羅姆半導體:羅姆公司成立于1958年,總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件,這些元件廣泛應用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。

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UMH3NTN常見問題

UMH3NTN的datasheet數(shù)據(jù)手冊在哪里下載?
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UMH3NTN的規(guī)格參數(shù)有哪些?有哪些替代型號?
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是羅姆半導體的代理商和供應商嗎?
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