EMH11T2R是羅姆半導體旗下的雙極晶體管陣列，預偏置 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供EMH11T2R現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供EMH11T2R datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 150mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | EMT6 |
EMH11T2R 是由 羅姆半導體 制造的 雙極晶體管陣列，預偏置 類電子元器件。TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 10kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms。
EMH11T2R 共有 14 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（30 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（250MHz）、Power - Max（150mW） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是羅姆半導體代理商，專業(yè)供應EMH11T2R等雙極晶體管陣列，預偏置 產品。如您需要EMH11T2R的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術支持。
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