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UMD3NTR 羅姆半導(dǎo)體雙極晶體管陣列,預(yù)偏置
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UMD3NTR 羅姆半導(dǎo)體雙極晶體管陣列,預(yù)偏置

品牌:羅姆半導(dǎo)體 分類:雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
¥2.95

羅姆半導(dǎo)體 UMD3NTR 雙極晶體管陣列,預(yù)偏置

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1)10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition250MHz
Power - Max150mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackageUMT6

UMD3NTR 羅姆半導(dǎo)體雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

UMD3NTR 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 類電子元器件。TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 10kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms。

UMD3NTR 共有 14 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(30 @ 5mA, 5V)、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic(300mV @ 500μA, 10mA)、Current - Collector Cutoff (Max)(500nA)、Frequency - Transition(250MHz)、Power - Max(150mW) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體:羅姆公司成立于1958年,總部位于日本京都。羅姆設(shè)計和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件,這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。

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UMD3NTR常見問題

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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是羅姆半導(dǎo)體的代理商和供應(yīng)商嗎?
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