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PUMH9,165 Nexperia雙極晶體管陣列,預(yù)偏置
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PUMH9,165 Nexperia雙極晶體管陣列,預(yù)偏置

品牌:Nexperia 分類:雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 描述:TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
¥2.09

Nexperia PUMH9,165 雙極晶體管陣列,預(yù)偏置

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1)10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)1μA
Frequency - Transition-
Power - Max300mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package6-TSSOP

PUMH9,165 Nexperia雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

PUMH9,165 是由 Nexperia 制造的 雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 類電子元器件。TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 10kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms。

PUMH9,165 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(100 @ 5mA, 5V)、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic(100mV @ 250μA, 5mA)、Current - Collector Cutoff (Max)(1μA)、Power - Max(300mW)、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 Nexperia:Nexperia(中文名:Nexperia)是全球領(lǐng)先的、專注于大批量生產(chǎn)關(guān)鍵半導(dǎo)體的專家。作為電子元器件領(lǐng)域不可或缺的組成部分,Nexperia提供的各類電子元件是每一項(xiàng)電子設(shè)計得以實(shí)現(xiàn)的基礎(chǔ)。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,涵蓋了二極管、雙極晶體管、ESD(靜電放電)保護(hù)器件、MOSFETs、GaN(氮化鎵)FETs以及模擬與邏輯IC芯片等核心電子產(chǎn)品。

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PUMH9,165常見問題

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