2SB1135R 安森美單雙極晶體管
安森美 2SB1135R 單雙極晶體管
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 400mA, 4A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100μA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 2 W |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-220ML |
2SB1135R 安森美單雙極晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
2SB1135R 是由 安森美 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。2SB1135 - PNP EPITAXIAL PLANAR S。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 7 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A、Current - Collector Cutoff (Max): 100μA (ICBO)。
2SB1135R 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（100 @ 1A, 2V）、Power - Max（2 W）、Frequency - Transition（10MHz）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對客戶在各種復(fù)雜設(shè)計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是安森美代理商，專業(yè)供應(yīng)2SB1135R等單雙極晶體管 產(chǎn)品。如您需要2SB1135R的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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