NSVF6003SB6T1G是仙童半導(dǎo)體旗下的雙極射頻晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供NSVF6003SB6T1G現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供NSVF6003SB6T1G datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3dB @ 1GHz |
| Gain | 9dB |
| Power - Max | 800mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | 6-CPH |
NSVF6003SB6T1G 是由 仙童半導(dǎo)體 制造的 雙極射頻晶體管 類電子元器件。RF TRANSISTOR, NPN SINGLE, 12 V,。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V、Frequency - Transition: 7GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz、Gain: 9dB。
NSVF6003SB6T1G 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（800mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（100 @ 50mA, 5V）、Current - Collector (Ic) (Max)（150mA）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 仙童半導(dǎo)體：Fairchild Semiconductor，中文名“仙童半導(dǎo)體”，是全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，以其在功率半導(dǎo)體和模擬集成電路領(lǐng)域的深厚積淀而聞名。自創(chuàng)立以來，仙童半導(dǎo)體一直致力于提供高性能、高可靠性的電子元器件，成為眾多行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)信賴的合作伙伴。其主營產(chǎn)品類別廣泛，涵蓋了功率器件（如MOSFET、IGBT、二極管）、模擬IC（如運(yùn)算放大器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、電源管理IC）、邏輯IC以及汽車電子專用器件等。這些電子元件是現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的基礎(chǔ)。
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