
TPR1000A 美高森美雙極射頻晶體管
美高森美 TPR1000A 雙極射頻晶體管
TPR1000A是美高森美旗下的雙極射頻晶體管 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供TPR1000A現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供TPR1000A datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價(jià),發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
| Frequency - Transition | 1.09GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | 6dB |
| Power - Max | 2900W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Operating Temperature | 200°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | 55KV |
| Supplier Device Package | 55KV |
TPR1000A 美高森美雙極射頻晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
TPR1000A 是由 美高森美 制造的 雙極射頻晶體管 類電子元器件。RF TRANS 65V 1.09GHZ 55KV。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V、Frequency - Transition: 1.09GHz、Gain: 6dB、Power - Max: 2900W、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V。
TPR1000A 共有 11 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current - Collector (Ic) (Max)(80A)、Operating Temperature(200°C)、Mounting Type(Chassis Mount)、Package / Case(55KV)、Supplier Device Package(55KV) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 美高森美:**美高森美 (Microsemi):高性能半導(dǎo)體解決方案的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者**
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TPR1000A常見問題
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