MRF8372G 美高森美雙極射頻晶體管
美高森美 MRF8372G 雙極射頻晶體管
MRF8372G是美高森美旗下的雙極射頻晶體管 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MRF8372G現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MRF8372G datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 16V |
| Frequency - Transition | 870MHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | 8dB ~ 9.5dB |
| Power - Max | 2.2W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
MRF8372G 美高森美雙極射頻晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
MRF8372G 是由 美高森美 制造的 雙極射頻晶體管 類電子元器件。RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V、Frequency - Transition: 870MHz、Gain: 8dB ~ 9.5dB、Power - Max: 2.2W。
MRF8372G 共有 11 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（30 @ 50mA, 5V）、Current - Collector (Ic) (Max)（200mA）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)）、Supplier Device Package（8-SO） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產品參數(shù)"標簽頁。
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