BLT50,115 恩智浦半導體雙極射頻晶體管
恩智浦半導體 BLT50,115 雙極射頻晶體管
BLT50,115是恩智浦半導體旗下的雙極射頻晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供BLT50,115現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供BLT50,115 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
| Frequency - Transition | 470MHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | - |
| Power - Max | 2W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 300mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | SC-73 |
BLT50,115 恩智浦半導體雙極射頻晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
BLT50,115 是由 恩智浦半導體 制造的 雙極射頻晶體管 類電子元器件。RF TRANS NPN 10V 470MHZ SOT223。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V、Frequency - Transition: 470MHz、Power - Max: 2W、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V。
BLT50,115 共有 11 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current - Collector (Ic) (Max)（500mA）、Operating Temperature（175°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-261-4, TO-261AA）、Supplier Device Package（SC-73） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
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