DTB113ZSTP 羅姆半導(dǎo)體單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管

DTB113ZSTP 羅姆半導(dǎo)體單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

DTB113ZSTP 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 1 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。

DTB113ZSTP 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（56 @ 50mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 2.5mA, 50mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（200 MHz）、Power - Max（300 mW） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。

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