PDTA123TMB,315 恩智浦半導(dǎo)體單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管

PDTA123TMB,315 恩智浦半導(dǎo)體單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

PDTA123TMB,315 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類(lèi)電子元器件。NOW NEXPERIA PDTA123TMB - SMALL。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V。

PDTA123TMB,315 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1μA）、Frequency - Transition（180 MHz）、Power - Max（250 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

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