PDTB113ZT,215 恩智浦半導(dǎo)體單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管

PDTB113ZT,215 恩智浦半導(dǎo)體單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

PDTB113ZT,215 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。NEXPERIA, PDTB113ZT - PNP 500MA,。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 1 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。

PDTB113ZT,215 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（70 @ 50mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 2.5mA, 50mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（100nA (ICBO)）、Power - Max（250 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

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