DDTA114YLP-7 德利通單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管
德利通 DDTA114YLP-7 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Power - Max | 250 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-UFDFN |
| Supplier Device Package | X1-DFN1006-3 |
DDTA114YLP-7 德利通單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
DDTA114YLP-7 是由 德利通 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 10 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms。
DDTA114YLP-7 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(80 @ 5mA, 5V)、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic(250mV @ 2.5mA, 50mA)、Current - Collector Cutoff (Max)(500nA)、Frequency - Transition(250 MHz)、Power - Max(250 mW) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 德利通:**Diodes Incorporated(德利通):賦能未來,驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新**
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