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| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 246 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
MMUN2214LT1G 是由 安森美 制造的 單個預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 10 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms。
MMUN2214LT1G 共有 13 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（80 @ 5mA, 10V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（250mV @ 300μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Power - Max（246 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動者，致力于賦能客戶實現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對客戶在各種復(fù)雜設(shè)計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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