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MMUN2211LT1G 安森美單個預偏置雙極晶體管
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MMUN2211LT1G 安森美單個預偏置雙極晶體管

品牌:安森美 分類:單個預偏置雙極晶體管 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
¥1.01

安森美 MMUN2211LT1G 單個預偏置雙極晶體管

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規(guī)格參數

Product StatusActive
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300μA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition-
Power - Max246 mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)

MMUN2211LT1G 安森美單個預偏置雙極晶體管 - 規(guī)格參數與選型指南

MMUN2211LT1G 是由 安森美 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 10 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。

MMUN2211LT1G 共有 13 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(35 @ 5mA, 10V)、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic(250mV @ 300μA, 10mA)、Current - Collector Cutoff (Max)(500nA)、Power - Max(246 mW)、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。

關于 安森美:安森美(onsemi)作為全球領先的能源高效創(chuàng)新驅動者,致力于賦能客戶實現全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局,為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別,包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現代電子產品不可或缺的組成部分,安森美通過其豐富的產品組合,有效應對客戶在各種復雜設計挑戰(zhàn)中遇到的難題。

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MMUN2211LT1G常見問題

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