VEC2616-TL-H-Z是德州儀器旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供VEC2616-TL-H-Z現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供VEC2616-TL-H-Z datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta), 2.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1.5A, 10V, 137mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V, 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 505pF @ 20V |
| Power - Max | 900mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Leads |
| Supplier Device Package | 8-ECH |
VEC2616-TL-H-Z 是由 德州儀器 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。VEC2MOSN-CHANNP-CHANNARR632.5A。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta)。
VEC2616-TL-H-Z 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（80mOhm @ 1.5A, 10V, 137mOhm @ 1.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.6V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（10nC @ 10V, 11nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（505pF @ 20V）、Power - Max（900mW (Ta)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 德州儀器：德州儀器公司（Texas Instruments Incorporated，簡(jiǎn)稱TI）是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造企業(yè)，專注于開發(fā)模擬集成電路和嵌入式處理器。通過匯聚全球最杰出的人才，TI不斷創(chuàng)造出塑造科技未來的創(chuàng)新成果。TI正助力超過10萬名客戶在當(dāng)下變革未來。
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