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DI005N06SQ2 泰迪半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列
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DI005N06SQ2 泰迪半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列

品牌:泰迪半導(dǎo)體 分類:FET、MOSFET 陣列 描述:MOSFET, SO-8, 60V, 5A, 150C, 0

泰迪半導(dǎo)體 DI005N06SQ2 FET、MOSFET 陣列

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel
FET FeatureStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1295pF @ 25V
Power - Max1.3W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO

DI005N06SQ2 泰迪半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

DI005N06SQ2 是由 泰迪半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET, SO-8, 60V, 5A, 150C, 0。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)。

DI005N06SQ2 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(40mOhm @ 4.5A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(3V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(22nC @ 10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1295pF @ 25V)、Power - Max(1.3W (Ta)) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。

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