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MMBT7002KDW 泰迪半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列
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MMBT7002KDW 泰迪半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列

品牌:泰迪半導(dǎo)體 分類:FET、MOSFET 陣列 描述:MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150

泰迪半導(dǎo)體 MMBT7002KDW FET、MOSFET 陣列

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.75V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs440pC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds21pF @ 25V
Power - Max295mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackageSOT-363

MMBT7002KDW 泰迪半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

MMBT7002KDW 是由 泰迪半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA。

MMBT7002KDW 共有 15 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(3Ohm @ 500mA, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(1.75V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(440pC @ 4.5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(21pF @ 25V)、Power - Max(295mW) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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MMBT7002KDW常見問題

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