AONY36302 萬國半導體FET、MOSFET 陣列
萬國半導體 AONY36302 FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 51A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
| Power - Max | 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 44.5W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
AONY36302 萬國半導體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
AONY36302 是由 萬國半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 51A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)。
AONY36302 共有 15 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（5.2mOhm @ 20A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（30nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1000pF @ 15V）、Power - Max（3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 44.5W (Tc)） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
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