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CTLDM7003T-M563D BK 中央半導體FET、MOSFET 陣列
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CTLDM7003T-M563D BK 中央半導體FET、MOSFET 陣列

品牌:中央半導體 分類:FET、MOSFET 陣列 描述:TRANSISTOR

中央半導體 CTLDM7003T-M563D BK FET、MOSFET 陣列

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C280mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Power - Max350mW
Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device PackageTLM563D

CTLDM7003T-M563D BK 中央半導體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

CTLDM7003T-M563D BK 是由 中央半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。TRANSISTOR。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 50V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 50mA, 5V。

CTLDM7003T-M563D BK 共有 13 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(1.2V @ 250μA)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(50pF @ 25V)、Power - Max(350mW)、Operating Temperature(-65°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。

關于 中央半導體:Central Semiconductor,中文名「中央半導體」,自1974年起,便致力于為全球電子產(chǎn)品制造創(chuàng)新型分立式半導體元器件。作為業(yè)界資深的電子元件制造商,中央半導體在數(shù)十年的發(fā)展歷程中,憑借其卓越的技術實力和對品質(zhì)的不懈追求,贏得了廣泛的市場認可。其核心產(chǎn)品線涵蓋了種類繁多的電子元件,包括但不限于標準及定制化的小信號晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管,以及前沿的碳化硅(SiC)器件。這些高質(zhì)量的IC芯片和分立半導體元件,是現(xiàn)代電子設備不可或缺的組成部分。

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