BSZ0908NDXTMA2 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列
英飛凌科技 BSZ0908NDXTMA2 FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Ta), 7.6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9A, 10V, 9mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V, 6.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 15V, 730pF @ 15V |
| Power - Max | 700mW (Ta), 860mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | PG-WISON-8 |
BSZ0908NDXTMA2 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
BSZ0908NDXTMA2 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 7.6A (Ta)。
BSZ0908NDXTMA2 共有 15 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（18mOhm @ 9A, 10V, 9mOhm @ 9A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（3nC @ 4.5V, 6.4nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（340pF @ 15V, 730pF @ 15V）、Power - Max（700mW (Ta), 860mW (Ta)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
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