IRFHM792TRPBF 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列
英飛凌科技 IRFHM792TRPBF FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 251pF @ 25V |
| Power - Max | 2.3W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
IRFHM792TRPBF 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IRFHM792TRPBF 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V。
IRFHM792TRPBF 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 10μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（6.3nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（251pF @ 25V）、Power - Max（2.3W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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