EFC2K101NUZTDG 安森美FET、MOSFET 陣列
安森美 EFC2K101NUZTDG FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 3.8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 1.4W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-SMD, No Lead |
| Supplier Device Package | 6-WLCSP (1.79x1.18) |
EFC2K101NUZTDG 安森美FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
EFC2K101NUZTDG 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。NCH 12V 15A WLCSP DUAL。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain、FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 12V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)。
EFC2K101NUZTDG 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（6.2mOhm @ 5A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.3V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（16nC @ 3.8V）、Power - Max（1.4W (Ta)）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營(yíng)產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號(hào)管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過(guò)其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對(duì)客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是安森美代理商，專業(yè)供應(yīng)EFC2K101NUZTDG等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要EFC2K101NUZTDG的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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