AO6602_DELTA 萬國半導體FET、MOSFET 陣列
萬國半導體 AO6602_DELTA FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel Complementary |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta), 2.7A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA, 2.4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V, 5.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 15V, 240pF @ 15V |
| Power - Max | 1.15W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
AO6602_DELTA 萬國半導體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
AO6602_DELTA 是由 萬國半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N-CH 6TSOP。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel Complementary、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.7A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V。
AO6602_DELTA 共有 14 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250μA, 2.4V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（5nC @ 10V, 5.2nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（210pF @ 15V, 240pF @ 15V）、Power - Max（1.15W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
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