MJD45H11J Nexperia單雙極晶體管

MJD45H11J Nexperia單雙極晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

MJD45H11J 是由 Nexperia 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PNP 80V 8A DPAK。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 8 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A、Current - Collector Cutoff (Max): 1μA。

MJD45H11J 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（60 @ 2A, 1V）、Power - Max（1.75 W）、Frequency - Transition（80MHz）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

關(guān)于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球領(lǐng)先的、專注于大批量生產(chǎn)關(guān)鍵半導(dǎo)體的專家。作為電子元器件領(lǐng)域不可或缺的組成部分，Nexperia提供的各類電子元件是每一項(xiàng)電子設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)的基礎(chǔ)。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合，涵蓋了二極管、雙極晶體管、ESD（靜電放電）保護(hù)器件、MOSFETs、GaN（氮化鎵）FETs以及模擬與邏輯IC芯片等核心電子產(chǎn)品。

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