2STR2160 意法半導(dǎo)體單雙極晶體管
意法半導(dǎo)體 2STR2160 單雙極晶體管
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 480mV @ 100mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 500mA, 2V |
| Power - Max | 500 mW |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
2STR2160 意法半導(dǎo)體單雙極晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
2STR2160 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PNP 60V 1A SOT23-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 1 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
2STR2160 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（180 @ 500mA, 2V）、Power - Max（500 mW）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體是一家全球獨(dú)立的半導(dǎo)體公司，是開發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識(shí)、制造實(shí)力、知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使其在系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)品在推動(dòng)當(dāng)今的融合趨勢(shì)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是意法半導(dǎo)體代理商，專業(yè)供應(yīng)2STR2160等單雙極晶體管 產(chǎn)品。如您需要2STR2160的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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