SMMUN2116LT1G 恩智浦半導(dǎo)體單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管
恩智浦半導(dǎo)體 SMMUN2116LT1G 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管
SMMUN2116LT1G是恩智浦半導(dǎo)體旗下的單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供SMMUN2116LT1G現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供SMMUN2116LT1G datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 246 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
SMMUN2116LT1G 恩智浦半導(dǎo)體單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
SMMUN2116LT1G 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。MMUN2116L - SMALL SIGNAL BIPOLAR。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V。
SMMUN2116LT1G 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（250mV @ 1mA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Power - Max（246 mW）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
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