HP8K22TB 羅姆半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列
羅姆半導(dǎo)體 HP8K22TB FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | - |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A, 57A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 15V |
| Power - Max | 25W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
HP8K22TB 羅姆半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
HP8K22TB 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。30V NCH+NCH MID POWER MOSFET。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V、Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA。
HP8K22TB 共有 13 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（16.8nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1080pF @ 15V）、Power - Max（25W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是羅姆半導(dǎo)體代理商，專業(yè)供應(yīng)HP8K22TB等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要HP8K22TB的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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