HS8K1TB 羅姆半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列

HS8K1TB 羅姆半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

HS8K1TB 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類(lèi)電子元器件。30V NCH+NCH POWER MOSFET。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 11A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V。

HS8K1TB 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（348pF @ 15V, 429pF @ 15V）、Power - Max（2W (Ta)）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無(wú)線通信、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)和消費(fèi)電子市場(chǎng)。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。

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