IAUC45N04S6N070HATMA1 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列
英飛凌科技 IAUC45N04S6N070HATMA1 FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 9μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 701pF @ 25V |
| Power - Max | 41W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-57 |
IAUC45N04S6N070HATMA1 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IAUC45N04S6N070HATMA1 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類(lèi)電子元器件。IAUC45N04S6N070HATMA1。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V。
IAUC45N04S6N070HATMA1 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 9μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（12nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（701pF @ 25V）、Power - Max（41W (Tc)）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
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