IRF7530TRPBF 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列
英飛凌科技 IRF7530TRPBF FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Not For New Designs |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1310pF @ 15V |
| Power - Max | 1.3W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Supplier Device Package | Micro8? |
IRF7530TRPBF 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IRF7530TRPBF 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Not For New Designs、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V。
IRF7530TRPBF 共有 14 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（26nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1310pF @ 15V）、Power - Max（1.3W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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