DMG1016V-7是德利通旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供DMG1016V-7現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供DMG1016V-7 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 870mA, 640mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67pF @ 16V |
| Power - Max | 530mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
DMG1016V-7 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N/P-CH 20V SOT563。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA。
DMG1016V-7 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（400mOhm @ 600mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.74nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（60.67pF @ 16V）、Power - Max（530mW） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是德利通代理商，專業(yè)供應(yīng)DMG1016V-7等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要DMG1016V-7的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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