NTJD5121NT1G是安森美旗下的FET、MOSFET 陣列 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供NTJD5121NT1G現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供NTJD5121NT1G datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 295mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 26pF @ 20V |
| Power - Max | 250mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
NTJD5121NT1G 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA。
NTJD5121NT1G 共有 15 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（1.6Ohm @ 500mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.9nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（26pF @ 20V）、Power - Max（250mW） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產品參數(shù)"標簽頁。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創(chuàng)新驅動者，致力于賦能客戶實現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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