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BLF10M6200112 安普隆RF FET、MOSFET 現(xiàn)貨圖片

BLF10M6200112 安普隆RF FET、MOSFET

品牌：安普隆 分類：RF FET、MOSFET 描述：BLF10M6200 - POWER LDMOS TRANSIS

安普隆 BLF10M6200112 RF FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusObsolete
TechnologyLDMOS
ConfigurationN-Channel
Frequency700MHz ~ 1GHz
Gain20dB
Voltage - Test28 V
Current Rating (Amps)4.2μA
Noise Figure-
Current - Test1.4 A
Power - Output40W
Voltage - Rated65 V
Mounting TypeChassis Mount
Package / CaseSOT-502A
Supplier Device PackageSOT502A

BLF10M6200112 安普隆RF FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

BLF10M6200112 是由 安普隆 制造的 RF FET、MOSFET 類電子元器件。BLF10M6200 - POWER LDMOS TRANSIS。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: LDMOS、Configuration: N-Channel、Frequency: 700MHz ~ 1GHz、Gain: 20dB、Voltage - Test: 28 V。

BLF10M6200112 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current Rating (Amps)（4.2μA）、Current - Test（1.4 A）、Power - Output（40W）、Voltage - Rated（65 V）、Mounting Type（Chassis Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。

關(guān)于 安普?。?/strong>安普?。ˋmpleon）品牌，自2015年獨(dú)立運(yùn)營以來，已傳承并超越了五十余年射頻功率領(lǐng)域的深厚積淀與領(lǐng)導(dǎo)地位。作為一家專注于高頻應(yīng)用創(chuàng)新的全球性企業(yè)，安普隆致力于通過先進(jìn)的LDMOS和GaN（氮化鎵）技術(shù)，為構(gòu)建更美好的世界貢獻(xiàn)力量。公司在全球擁有超過1600名員工，他們以客戶的成功為己任，通過緊密的合作、伙伴關(guān)系、持續(xù)的創(chuàng)新以及卓越的執(zhí)行力，為客戶提供領(lǐng)先的射頻功率元器件。安普隆提供一系列創(chuàng)新且性能卓越的產(chǎn)品和解決方案，廣泛應(yīng)用于4G LTE和5G NR通信基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)、科學(xué)、醫(yī)療、廣播、航空航天及國防等關(guān)鍵領(lǐng)域。

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BLF10M6200112常見問題

BLF10M6200112的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)在哪里下載？
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BLF10M6200112的規(guī)格參數(shù)有哪些？有哪些替代型號(hào)？
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是安普隆的代理商和供應(yīng)商嗎？
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