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B10G3438N55DZ 安普隆RF FET、MOSFET
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B10G3438N55DZ 安普隆RF FET、MOSFET

品牌:安普隆 分類:RF FET、MOSFET 描述:B10G3438N55DZ/REELDP
¥236.95

安普隆 B10G3438N55DZ RF FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
TechnologyLDMOS
Configuration-
Frequency3.4GHz ~ 3.8GHz
Gain34.2dB
Voltage - Test28 V
Current Rating (Amps)-
Noise Figure-
Current - Test75 mA
Power - Output47.5dBm
Voltage - Rated65 V
Mounting Type-
Package / Case-
Supplier Device Package-

B10G3438N55DZ 安普隆RF FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

B10G3438N55DZ 是由 安普隆 制造的 RF FET、MOSFET 類電子元器件。B10G3438N55DZ/REELDP。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: LDMOS、Frequency: 3.4GHz ~ 3.8GHz、Gain: 34.2dB、Voltage - Test: 28 V、Current - Test: 75 mA。

B10G3438N55DZ 共有 8 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Output(47.5dBm)、Voltage - Rated(65 V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

關(guān)于 安普?。?/strong>安普?。ˋmpleon)品牌,自2015年獨(dú)立運(yùn)營(yíng)以來(lái),已傳承并超越了五十余年射頻功率領(lǐng)域的深厚積淀與領(lǐng)導(dǎo)地位。作為一家專注于高頻應(yīng)用創(chuàng)新的全球性企業(yè),安普隆致力于通過(guò)先進(jìn)的LDMOS和GaN(氮化鎵)技術(shù),為構(gòu)建更美好的世界貢獻(xiàn)力量。公司在全球擁有超過(guò)1600名員工,他們以客戶的成功為己任,通過(guò)緊密的合作、伙伴關(guān)系、持續(xù)的創(chuàng)新以及卓越的執(zhí)行力,為客戶提供領(lǐng)先的射頻功率元器件。安普隆提供一系列創(chuàng)新且性能卓越的產(chǎn)品和解決方案,廣泛應(yīng)用于4G LTE和5G NR通信基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)、科學(xué)、醫(yī)療、廣播、航空航天及國(guó)防等關(guān)鍵領(lǐng)域。

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B10G3438N55DZ常見(jiàn)問(wèn)題

B10G3438N55DZ的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)在哪里下載?
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是安普隆的代理商和供應(yīng)商嗎?
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